Z0107MN0

采用SOT223 (SC-73)表面贴装塑料封装的平面钝化超敏感门极四象限三端双向可控硅用于要求直接连接逻辑电平IC和低功耗栅极驱动器的应用。
Features and Benefits
  • 直接连接逻辑电平IC
  • 更强的电流浪涌耐受能力
  • 更强的噪声抗扰度
  • 高阻断电压能力
  • 凭借平面钝化结构实现电压稳固性和可靠性
  • 表面贴装封装
  • 所有四个象限中的触发
  • 超敏感门极
Applications
  • 直接连接逻辑电平IC
  • 更强的电流浪涌耐受能力
  • 更强的噪声抗扰度
  • 高阻断电压能力
  • 凭借平面钝化结构实现电压稳固性和可靠性
  • 表面贴装封装
  • 所有四个象限中的触发
  • 超敏感门极
Package version
Package name
Product status
Tj [max]
Product Parametric
Type NumberSymbolParameterConditionsMinTyp/NomMaxUnit
Z0107MN0VDRMrepetitive peak off-state voltage   600V
IT(RMS)RMS on-state currentfull sine wave; Tsp ? 105 °C  1A
ITSMnon-repetitive peak on-state currentfull sine wave; Tj(init) = 25 °C; tp = 20 ms  12.5A
full sine wave; Tj(init) = 25 °C; tp = 16.7 ms  13.8A
Tjjunction temperature   125°C
IGTgate trigger currentVD = 12 V; IT = 0.1 A; T2+ G+; Tj = 25 °C0.3 5mA
VD = 12 V; IT = 0.1 A; T2+ G-; Tj = 25 °C0.3 5mA
VD = 12 V; IT = 0.1 A; T2- G-; Tj = 25 °C0.3 5mA
VD = 12 V; IT = 0.1 A; T2- G+; Tj = 25 °C0.3 7mA
IHholding currentVD = 12 V; Tj = 25 °C  10mA
VTon-state voltageIT = 1.4 A; Tj = 25 °C 1.31.6V
dVD/dtrate of rise of off-state voltageVDM = 402 V; Tj = 110 °C; (VDM = 67% of VDRM); exponential waveform; gate open circuit100  V/µs
dVcom/dtrate of change of commutating voltageVD = 400 V; Tj = 110 °C; dIcom/dt = 0.44 A/ms; gate open circuit1  V/µs
Package
型号包装包装产品状态标记订单编号订单代码(12编码)
Z0107MN0 SOT223
SOT223
Reel 11¼" Q1/T1 in LargePackVolume productionStandard MarkingZ0107MN0,1359340 650 55135
Quality, reliability & chemical content
化学含量 订单编号 型号RoHS / RHF无铅转换日期MSLMSL LF
Z0107MN0 Z0107MN0,135   Z0107MN0 Lead-freeDAlways Pb-freeNANA
Ordering & availability
型号订单代码(12编码)订单编号区域经销商Order sample
Z0107MN09340 650 55135Z0107MN0,135NANA
IGT [max] in quadrant 1
IGT [max] in quadrant 2
IGT [max] in quadrant 3
IGT [max] in quadrant 4
IT(RMS) [max]
ITSM [max] @ 50 Hz
VDRM [max]
Orderable part number
Z0107MN0,135

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